三星推出业界首款HBM2E内存产品

2019-10-06 22:04 来源:未知

问题:三星生产业界首款HBM2E内部存款和储蓄器产品,对此你怎么看?

回答:

近来三星(Samsung)电子在DRAM和存款和储蓄领域疯狂的刷存在感,从MWC 2019展会公布eUFS 3.0存款和储蓄晶片,到eMRAM存款和储蓄器,再到高容积LPDD本田CR-V4x内部存款和储蓄器。近期后Samsung再也更新内部存款和储蓄器技巧,在NVIDIA的GTC大会上特意为数据基本、GPU等高性能总结带来了更新的HBM2E内部存款和储蓄器。那款集成电路是产业界首个款式相符HBM2E专门的学问的成品。

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在性质上, 那款产品将传输速率从2.4Gbps提高到3.2Gbps,提上涨的幅度度高达33%。同一时候每微芯片的体量提高了两倍,达到16Gb。而HBM产品日常经过TSVs(硅穿孔技术)实行多层堆成堆,所以通过那几个手艺举行8-Hi聚成堆,能够让HBM2E内存体积达到16GB。同有难点间选用10二十五位宽的总线能够让HBM2e内部存款和储蓄器的带宽高达410GB/s。比较前代出品有了大开间进步。

Samsung将那款产品定位于下一代数据主导、一流Computer以及人工智能/机器学习应用。事实上,Samsung的上一代HBM2集成电路在基准上就早就超越了HBM2标准,最高带宽达到了307.2GB/s,同期体量最大为8GB,而专业电压仅为1.2v。而实在的HBM2标准为最高256GB/s的带宽和4GB的最大体量,同偶尔间职业电压为1.35v。而此次三星(Samsung)双重进步HBM内存的习性,但可惜的是,这一次三星(Samsung)并从未表露那款晶片的职业电压。

HBM内设有功耗和属性上比较于周围的GDDRAV45或GDDEnclave6集成电路都更有优势,同有时候选择TSV技能,并与GPU等封装在联合签字,所以占用更加小的面积。不过由于资本原因,这么些HBM晶片常常只有高档产品才会配有,如AMD的Radeon VII、NVIDIA的GV100或英特尔的FPGA。但作为一款斩新的制品,前段时间并不曾产品发表采用那款晶片。即使Samsung官方脚下已经发表了这款产品,然而并未发表量产。相信那款产品离量产不会太久。

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